IGBT，是由BJT雙極型三極管和絕緣柵型場效應管MOS組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。

IGBT驅動功率小而飽和壓降低，是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。

IGBT模塊的應用決定了其不僅要有極高的可靠性，且要有較長的使用壽命。

IGBT在實現電流切換的過程中，會產生較大的功率損耗，因此“散熱”是影響其可靠性的重要因素。而芯片焊接處和基片焊接處等位置，是IGBT主要的熱量傳輸通道，焊接處的焊接質量影響了IGBT的可靠性和壽命。

研究表明，焊料層內出現空洞時，芯片結溫隨之增加，且芯片結溫與焊料層空洞率幾乎成正比。從而影響熱循環，造成局部溫度過高，降低模塊使用壽命。器件的工作溫度每升高10℃，其失效率將增大一倍左右。

因此，IBGT封裝，最重要的是降低焊料層的空洞率。

中實研發IGBT預成型焊片

國內首創

> IGBT 八元合金焊片

產品特點：

-滿足新能源汽車高可靠性、超長壽命需求

-更長的產品生命周期性

> IGBT 加強型等高焊片

產品特點：

- 高強度

- 應力分布均勻

- 焊接層均勻、焊接高度可控

- 低空洞率

空洞率對比

實驗數據

以下為對比實驗數據，可以看到中實IGBT預成型焊片，有效降低了焊接空洞率，且產品穩定性表現更佳。

目前，中實IGBT預成型焊片已穩定供貨于各大半導體企業、新能源汽車企業等。

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